企业简介
湘能华磊光电股份有限公司 main business:发光二极管的外延材料产品、芯片器件、LED封装及相关应用产品的生产及自产产品的销售，承接LED照明工程及提供相关的技术咨询、节能服务。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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湘能华磊光电股份有限公司的工商信息
- 431000400001340
- 914310006755806648
- 存续（在营、开业、在册）
- 股份有限公司(非上市、外商投资企业投资)
- 2008年06月26日
- 黄奂果
- 38807.761100
- 2008年06月26日 至 2028年06月26日
- 郴州市工商行政管理局高新技术产业开发区分局
- 2017年10月12日
- 郴州市苏仙区白露塘镇后营大道（郴州市有色金属产业园）
- 发光二极管的外延材料产品、芯片器件、LED封装及相关应用产品的生产及自产产品的销售，承接LED照明工程及提供相关的技术咨询、节能服务。
湘能华磊光电股份有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 10910053 |  |
华磊光电 HUALEI OPTOELECTRONIC HL | 2012-05-14 | 技术研究；技术项目研究；研究和开发(替他人)；城市规划；节能领域的咨询；环境保护领域的研究；科学实验室服务；工程学；工业品外观设计 | 查看详情 |
| 2 | 10715245 |  |
HUALEI OPTOELECTRONIC | 2012-04-01 | 晶片(硅片)；半导体；硅外延片；电子芯片；半导体器件；晶体管(电子)；发光二极管 | 查看详情 |
| 3 | 10715246 |  |
华磊光电 HL | 2012-04-01 | 信号灯；电子公告牌；霓虹灯；晶片(硅片)；半导体；硅外延片；电子芯片；半导体器件；晶体管(电子)；发光二极管 | 查看详情 |
| 4 | 10715243 |  |
HL | 2012-04-01 | 空中运载工具用照明设备;灯;照明用发光管;发光门牌;舞台灯具;灯光漫射器;灯罩;照明器械及装置;手电筒;照明器具; | 查看详情 |
| 5 | 10715244 |  |
华磊光电 HUALEI OPTOELECTRONIC | 2012-04-01 | 电器设备的安装和修理；照明设备的安装和修理 | 查看详情 |
| 6 | 13494407 |  |
华磊亮堂堂 HL | 2013-11-06 | 空中运载工具用照明设备;灯;照明用发光管;发光门牌;舞台灯具;灯光漫射器;灯罩;照明器械及装置;手电筒;发光二极管(LED)照明器具; | 查看详情 |
| 7 | 10909924 |  |
HL | 2012-05-14 | 电器设备的安装和修理;照明设备的安装和修理; | 查看详情 |
| 8 | 13494316 |  |
华磊亮堂堂 | 2013-11-06 | 空中运载工具用照明设备;灯;照明用发光管;发光门牌;舞台灯具;灯光漫射器;灯罩;照明器械及装置;手电筒;发光二极管(LED)照明器具; | 查看详情 |
| 9 | 13494713 |  |
华磊亮堂堂 HL | 2013-11-06 | 广告;电视广告;商业信息;组织技术展览;特许经营的商业管理;进出口代理;替他人推销;市场营销; | 查看详情 |
湘能华磊光电股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105789388A | 提高外延晶体质量的LED生长方法 | 2016.07.20 | 本申请公开提高外延晶体质量的LED生长方法，依次包括：处理衬底、生长N型GaN层、周期性生长有缘层、 |
| 2 | CN105655456A | 一种外延增加LED光取出效率的底部粗化生长方法 | 2016.06.08 | 本申请公开外延增加LED光取出效率的底部粗化生长方法，处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂Ga |
| 3 | CN105870270A | LED外延超晶格生长方法 | 2016.08.17 | 本申请公开了一种LED外延超晶格生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN |
| 4 | CN106129199A | 降低接触电阻的LED外延生长方法 | 2016.11.16 | 本申请公开了一种降低接触电阻的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺 |
| 5 | CN106129200A | 减少外延层位错密度的LED生长方法 | 2016.11.16 | 本申请公开了一种减少外延层位错密度的LED生长方法，依次包括：溅射A1N薄膜、生长InMgN层、生长 |
| 6 | CN106129193A | 可提高光效的LED外延片及其生长方法 | 2016.11.16 | 本发明提供一种可提高光效的LED外延片生长方法，包括生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长 |
| 7 | CN205404741U | 一种LED灯管用检测装置 | 2016.07.27 | 本实用新型的目的在于提供一种LED灯管用检测装置，包括支撑板、检测用部件以及耐压测试仪；检测用部件包 |
| 8 | CN105655455A | 一种提升LED光效的外延生长方法 | 2016.06.08 | 本申请公开提升LED光效的外延生长方法，生长电子阻挡层为生长pAlGaN/pGaN/pInGaN超晶 |
| 9 | CN105845788A | 一种LED电流扩展层外延生长方法 | 2016.08.10 | 本申请公开了LED电流扩展层外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN |
| 10 | CN205542732U | 一种晶片花篮 | 2016.08.31 | 本实用新型提供了一种晶片花篮，所述花篮包括中心圆柱、圆形外壁、位于所述中心圆柱和圆形外壁之间且与中心 |
| 11 | CN205602360U | 一种晶片盒盖及包含此晶片盒盖的晶片盒 | 2016.09.28 | 本实用新型公开了一种晶片盒盖，包括盖体，盖体的下表面上设有朝向晶片盒体内部的卡扣组和用于卡持晶片用的 |
| 12 | CN106093819A | 制作全波段对比晶粒的方法及校正芯片测试机的方法 | 2016.11.09 | 本发明提供一种制作全波段对比晶粒的方法，包括以下步骤：步骤A、确定波段数量和全波段对比晶粒的份数；步 |
| 13 | CN105932115A | 提高LED芯片抗静电性能的外延生长方法 | 2016.09.07 | 本申请公开了一种提高LED芯片抗静电性能的外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生 |
| 14 | CN105932133A | 一种高亮度LED芯片及其制备方法 | 2016.09.07 | 本发明提供了一种高亮度LED芯片及其制备方法，该高亮度LED芯片在厚度方向依次包括蓝宝石衬底、外延层 |
| 15 | CN106206882A | 提高抗静电能力的LED生长方法 | 2016.12.07 | 本申请公开了一种提高抗静电能力的LED生长方法，依次包括：溅射A1N薄膜、生长SiGaN层、生长掺杂 |
| 16 | CN106206884A | LED外延P层生长方法 | 2016.12.07 | 本申请公开了一种LED外延P层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层 |
| 17 | CN206116364U | LED晶片清洗用花篮 | 2017.04.19 | 本实用新型提供一种LED晶片清洗用花篮，包括顶圈、其内径小于所述顶圈的内径的底圈、两端分别连接顶圈和 |
| 18 | CN104091869B | 发光二极管芯片及其制作方法 | 2017.04.12 | 本申请公开了一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：电流扩展层；外延层，位于所述电流扩展层之下；图形化 |
| 19 | CN103956413B | 一种LED外延层生长方法及制得的LED外延层 | 2017.04.12 | 本发明提供了一种LED外延层生长方法及制得的LED外延层，生长方法中的生长P型GaN层步骤为：在温度 |
| 20 | CN104103721B | P型LED外延结构、生长方法 | 2017.04.05 | 本申请公开了P型LED外延结构、生长方法，P型LED外延结构，所述结构自下而上包含蓝宝石衬底、低温氮 |
| 21 | CN106549087A | 一种高亮度LED芯片的制备方法 | 2017.03.29 | 一种高亮度LED芯片的制备方法，通过控制ITO导电扩展层的蒸镀环境来控制薄膜的结晶质量，从而改善薄膜 |
| 22 | CN106531855A | 一种LED外延结构及其生长方法 | 2017.03.22 | 本发明的第一目的在于提供了一种LED外延结构及其生长方法，具体包括处理衬底、生长低温GaN成核层、生 |
| 23 | CN106531852A | 一种增强器件抗静电能力的LED 外延生长方法 | 2017.03.22 | 本申请公开了一种增强器件抗静电能力的LED外延生长方法，包括步骤：在蓝宝石衬底上生长AlN层；在Al |
| 24 | CN104103728B | 防止发光二极管芯片电极脱落的加工方法及加工设备 | 2017.03.08 | 本申请公开了防止发光二极管芯片电极脱落的加工方法及加工设备，该方法：利用真空镀膜技术蒸镀第一部分厚度 |
| 25 | CN104091863B | 去除LED芯粒背镀层的方法 | 2017.03.08 | 本发明提供了一种去除LED芯粒背镀层的方法，LED芯粒的背面设置背镀层，包括以下步骤：1)贴膜：将L |
| 26 | CN104134730B | Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构 | 2017.03.08 | 本申请公开了一种Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构，所述的外延片从下至上依次为：衬底， |
| 27 | CN103474537B | 包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法 | 2017.03.08 | 本发明提供了一种包含渐变厚度势磊的LED结构外延生长方法，生长发光层MQW的步骤为：在温度为730‑ |
| 28 | CN104925793B | 一种去除石墨表面氮化镓基化合物的方法 | 2017.03.01 | 本申请公开了一种去除石墨盘表面氮化镓基化合物的方法，所述石墨盘放置在真空高温炉内，所述方法包括：升高 |
| 29 | CN106449945A | 制作CSP芯片的模注方法 | 2017.02.22 | 本申请公开制作CSP芯片的模注方法，依次包括：在两面具有粘性的柔性过渡基膜的第一个面上，将倒装LED |
| 30 | CN104393135B | 一种LED芯片的制作方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种LED芯片，包括：轴向依次设置的PSS衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体 |
| 31 | CN106449905A | 一种提高外延晶体质量的LED 生长方法 | 2017.02.22 | 本申请公开一种提高外延晶体质量的LED生长方法，依次包括：处理衬底、生长N型GaN层、周期性生长有缘 |
| 32 | CN106449939A | 简单化倒装LED结构的CSP芯片的结构及制作方法 | 2017.02.22 | 本申请公开简单化倒装LED结构的CSP芯片的结构及制作方法，方法包括：处理衬底、生长N型GaN层、生 |
| 33 | CN106449344A | 一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法 | 2017.02.22 | 本发明提供了一种改善4吋图形化衬底干法刻蚀一致性的下托盘及方法，包括承片单元、小通气孔、大通气孔、螺 |
| 34 | CN104409586B | GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法 | 2017.02.15 | 本申请公开了一种GaN基Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体LED外延片及生长方法，所述外延片的结构从下至上依次为： |
| 35 | CN106409999A | 一种LED外延超晶格生长方法 | 2017.02.15 | 本申请公开了一种LED外延超晶格生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN |
| 36 | CN106409996A | 改善LED芯片性能均匀性的外延生长方法 | 2017.02.15 | 本申请公开了一种改善LED芯片性能均匀性的外延生长方法，依次包括：处理图形化蓝宝石衬底、生长应力释放 |
| 37 | CN106410000A | 一种LED外延层生长方法 | 2017.02.15 | 本申请公开了一种LED外延层生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、 |
| 38 | CN104157758B | 发光二极管的外延片及其制作方法 | 2017.02.15 | 本申请公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法。发光二极管的外延片包括：低温缓冲层GaN；UGaN层 |
| 39 | CN104091861B | LED芯片侧壁腐蚀法及其制得的LED芯片 | 2017.02.15 | 本发明提供了一种LED芯片侧壁腐蚀法及其制得的LED芯片，LED芯片由晶圆切割得到，晶圆包括衬底及生 |
| 40 | CN104362239B | 一种LED电极结构及其制作方法 | 2017.02.08 | 本发明的第一目的在于提供一种LED电极结构，由GaN层的表层向外依次包括第一Ni层、Al层、Cr层、 |
| 41 | CN106384764A | 一种LED外延结构及其生长方法 | 2017.02.08 | 本发明提供一种新型的LED外延结构，具体是：包括依次层叠的蓝宝石衬底、低温缓冲层、不掺杂GaN层、掺 |
| 42 | CN104269475B | 发光二极管的外延片及其制作方法 | 2017.02.08 | 本申请公开了一种发光二极管的外延片及其制作方法。该方法包括：低温缓冲层GaN；不掺杂GaN层，位于所 |
| 43 | CN104134625B | 镊子 | 2017.02.01 | 本申请公开了一种镊子，包括具有两弹性镊柄的本体、第一镊头和第二镊头，所述第一镊头和所述第二镊头与所述 |
| 44 | CN106374021A | 基于蓝宝石图形化衬底的LED外延生长方法 | 2017.02.01 | 本发明公开基于蓝宝石图形化衬底的LED外延生长的方法，包括：处理衬底、生长AlGaN层、生长InAl |
| 45 | CN104409394B | 一种提高LED芯片分选效率的方法及系统 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种提高LED芯片分选效率的方法，包括以下步骤：收集需要进行数据处理的批量芯片；将所述芯 |
| 46 | CN104201257B | 通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法 | 2017.01.18 | 本申请公开了一种通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法，依次包括生长衬底，GaN缓冲层，非掺 |
| 47 | CN104103724B | 渐变量子阱的LED外延片、生长方法及LED结构 | 2017.01.18 | 本申请公开了渐变量子阱的LED外延片、生长方法及LED结构，其中一种渐变量子阱的LED外延片，其结构 |
| 48 | CN103972334B | LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片 | 2017.01.18 | 本发明提供了一种LED外延层结构，包括依次叠置的量子阱应力释放层和多量子阱层，多量子阱层包括第一多量 |
| 49 | CN106328494A | 提高光效的LED外延生长方法 | 2017.01.11 | 本申请公开了一种提高光效的LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温缓冲 |
| 50 | CN103633214B | InGaN/GaN超晶格缓冲层结构、制备方法及含该结构的LED芯片 | 2017.01.11 | 本发明提供了一种InGaN/GaN超晶格缓冲层、制备方法及含该结构的LED芯片。该InGaN/GaN |
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